HER108T/R
Active - DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41
HER108T/R สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
1000 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.7 V @ 1 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
75 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
5 μA @ 1000 V
ความจุ @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-204AL, DO-41, Axial
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-41
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 150 ℃
HER108T/R สินค้า คง คลัง: 600
5.0 / 5.0
2021-04-25 22:23
ทรานซิสเตอร์ที่ดี hFE อยู่ระหว่าง 500 ถึง 600 ที่ Ic=3mA อยู่ในข้อกําหนด
2021-12-31 23:06
ผลิตภัณฑ์ที่ดีและทํางานได้อย่างถูกต้อง
2021-07-21 00:28
โอเคตามประกาศ
2021-08-26 04:57
จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
Singapore
.jpg)
