EPC2052
Active - GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
คำอธิบาย:
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
EPC2052 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
GaNFET (Gallium Nitride)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
8.2A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 3mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
4.5 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
575 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
Die
EPC2052 สินค้า คง คลัง: 42310
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
