ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา
/
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
/ General Semiconductor 2N2018
2N2018
Active - TRANS NPN 125V 1A TO111
ผู้ผลิต:
General Semiconductor
ส่วน Mfr #
2N2018
ประเภท:
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
เอกสารข้อมูลสินค้า:
2N2018
คำอธิบาย:
TRANS NPN 125V 1A TO111
2N2018 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
ผู้ผลิต
General Semiconductor
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Bulk
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
-
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
1 A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
125 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
6V @ 100mA, 1A
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
100μA (ICBO)
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
20 @ 500mA, 10V
กำลัง - สูงสุด
20 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
2MHz
อุณหภูมิในการทำงาน
-
ประเภทการติดตั้ง
Stud Mount
แพ็คเกจ / เคส
TO-111-4, Stud
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-111
2N2018 สินค้า คง คลัง: 10260
ประวัติราคา
Active
5.0 / 5.0
Caleb Lim
Singapore
2022-07-12 02:11
เป็นสินค้าที่ดีมาก
Jessica Nelson
United States
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
Robert Carter
United States
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
Emily Torres
United States
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Charles Adams
United States
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2N2018 สินค้าที่เกี่ยวข้อง
2N2102
Solid State
2N2102
NTE Electronics
2N2102
Microchip Technology
2N2102
onsemi
2N2102
STMicroelectronics
2N2219A
Solid State
2N2219A
NTE Electronics
2N2219A
onsemi
2N2219A
STMicroelectronics
2N2102S
Microchip Technology
2N2222A
Microchip Technology
2N2222A
NTE Electronics
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *