IPP80R450P7XKSA1
Active - MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3
IPP80R450P7XKSA1 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.5V @ 220μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
24 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
770 pF @ 500 V
คุณสมบัติ FET
Super Junction
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
73W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
PG-TO220-3
IPP80R450P7XKSA1 สินค้า คง คลัง: 9960
5.0 / 5.0
2021-07-21 00:28
โอเคตามประกาศ
2021-08-26 04:57
จัดส่งที่รวดเร็วมากฉันจะสั่งซื้ออีกครั้งที่นี่
2021-08-13 03:21
สั่งซื้อ 30 ชิ้น ทดสอบแล้ว 1 ชิ้น ทําหน้าที่ตามที่อธิบายไว้ ได้รับภายใน 14 วันหลังจากวางคําสั่งซื้อ (การจัดส่งแบบรวมมาตรฐานไปยังเนเธอร์แลนด์)
2021-04-11 13:16
สินค้าดีดูใหม่เอี่ยมไม่ขูดหรือหักคุณภาพดีมากแนะนํา
2021-06-06 21:55
รับความสมบูรณ์สั่งซื้อซื้อคุณภาพดีและจัดส่งที่รวดเร็ว
United States
