IRF100P219AKMA1
Active - MOSFET N-CH 100V TO247AC
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 100V TO247AC
IRF100P219AKMA1 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
203A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.7mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3.8V @ 278μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
210 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
12020 pF @ 50 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.8W (Ta), 341W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
PG-TO247-3
Indonesia
