HIP6602CB
Active - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
คำอธิบาย:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
HIP6602CB สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
การกำหนดค่าแบบขับเคลื่อน
Half-Bridge
ประเภทช่องสัญญาณ
Synchronous
ประเภทเกต
N-Channel MOSFET
แรงดันไฟฟ้า - การจ่าย
5V ~ 12V, 10.8V ~ 13.2V
กระแส - เอาต์พุตสูงสุด (แหล่งที่มา, อ่างล้างจาน)
730mA, -
ประเภทอินพุต
Non-Inverting
แรงดันไฟฟ้าด้านสูง - สูงสุด (บูทสแตรป)
-
เวลาเพิ่มขึ้น / ตก (ประเภท)
20ns, 20ns
อุณหภูมิในการทำงาน
0 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
14-SOIC
Thailand
