1N484B
Active - DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 125V 200MA DO35
1N484B สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
125 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
200mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1 V @ 100 mA
ความเร็ว
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
25 nA @ 125 V
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-204AH, DO-35, Axial
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-35
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 200 ℃
United States
