1N5809US
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 3A B SQ-MELF
1N5809US สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
875 mV @ 4 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
30 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
5 μA @ 100 V
ความจุ @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
SQ-MELF, B
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
B, SQ-MELF
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 175 ℃
1N5809US สินค้า คง คลัง: 45260
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
