2N3498L
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
คำอธิบาย:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3498L สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
500 mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
100 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
600mV @ 30mA, 300mA
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
10μA (ICBO)
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
40 @ 150mA, 10V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-5AA
United States
