2N3506A
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
คำอธิบาย:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3506A สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
3 A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
40 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
1μA
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-39
United States
