2N4930
Active - NPN SILICON TRANSISTOR
คำอธิบาย:
NPN SILICON TRANSISTOR
2N4930 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
200 mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
200 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.2V @ 3mA, 30mA
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
250nA (ICBO)
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
50 @ 30mA, 10V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-39
United States
