2N6213
Active - PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
คำอธิบาย:
PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP
2N6213 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
2 A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
350 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
2V @ 125mA, 1A
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
5mA
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
30 @ 1A, 5V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 200 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-213AA, TO-66-2
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-66 (TO-213AA)
Thailand
