ประเภท
สินค้ามาใหม่
การควบคุมคุณภาพ
ความ คิด เห็น
หน้าแรก
/
การแยกอุปกรณ์กึ่งตัวนํา
/
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
/ Microchip Technology 2N6351E3
2N6351E3
Active - POWER BJT
ผู้ผลิต:
Microchip Technology
ส่วน Mfr #
2N6351E3
ประเภท:
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
เอกสารข้อมูลสินค้า:
2N6351E3
คำอธิบาย:
POWER BJT
2N6351E3 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภท
ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - ตัวเดียว
ผู้ผลิต
Microchip Technology
อนุกรม
-
บรรจุ ภัณฑ์
Bulk
สถานะผลิตภัณฑ์
Active
ประเภททรานซิสเตอร์
NPN - Darlington
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
5 A
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
150 V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
2.5V @ 10mA, 5A
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
1μA
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
1000 @ 5A, 5V
กำลัง - สูงสุด
1 W
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 200 ℃
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-205AC, TO-33-4 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-33
2N6351E3 สินค้า คง คลัง: 205
ประวัติราคา
$29.70000
5.0 / 5.0
Jessica Nelson
United States
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
Robert Carter
United States
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
Emily Torres
United States
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
Charles Adams
United States
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
Karen Hill
United States
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
2N6351E3 สินค้าที่เกี่ยวข้อง
2N6609
NTE Electronics
2N6773
Harris Corporation
2N6609
Microchip Technology
2N6609
onsemi
2N697
Microchip Technology
2N6678
Microchip Technology
2N6674
Microchip Technology
2N6677
Microchip Technology
2N697
onsemi
2N6667
NTE Electronics
2N6036
NTE Electronics
2N6649
Microchip Technology
ขอใบเสนอราคา
ส่วนจํานวน *
ผู้ผลิต
ติดต่อ *
ที่อยู่อีเมล *
ปริมาณการสอบถาม *
ประเทศที่จัดส่ง *