2N7000-G
Active - MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
2N7000-G สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
200mA (Tj)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
60 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-92-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
,TO-226_straightlead.jpg)
Indonesia
