APT17F100S
Active - MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
APT17F100S สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
17A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
780mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
150 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4845 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
625W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D3Pak
แพ็คเกจ/เคส
TO-268-3, D3Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
United States
