JAN2N2060
Active - NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
คำอธิบาย:
NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR
JAN2N2060 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
Military, MIL-PRF-19500/270
ประเภททรานซิสเตอร์
2 NPN (Dual)
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
500mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
60V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
10μA (ICBO)
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
50 @ 10mA, 5V
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
TO-78-6 Metal Can
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-78-6
United States
