PMPB50ENEAX
Active - MOSFET N-CH 30V 5.1A DFN2020MD-6
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 5.1A DFN2020MD-6
PMPB50ENEAX สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
อนุกรม
Automotive, AEC-Q101
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5.1A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
43mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
10 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
271 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.9W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
DFN2020MD-6
แพ็คเกจ/เคส
6-UDFN Exposed Pad
Singapore
