NTE2018
Active - IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
คำอธิบาย:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
NTE2018 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
ประเภททรานซิสเตอร์
8 NPN Darlington
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
600mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมตัวแยกอิมิตเตอร์ (สูงสุด)
50V
ความอิ่มตัวของ Vce (สูงสุด) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
กระแส - ตัวสะสม (สูงสุด)
-
กำไรกระแส DC (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce
-
ความถี่ - การเปลี่ยนผ่าน
-
อุณหภูมิในการทำงาน
-20 ℃ ~ 85 ℃ (TA)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส
18-DIP (0.300", 7.62mm)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
18-PDIP
Thailand
