NTE2392
Active - MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CHANNEL 100V 40A TO3
NTE2392 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
100 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
40A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
55mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
120 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3000 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
150W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-204AA, TO-3
Singapore
