NTE3301
Active - IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
คำอธิบาย:
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3301 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - ตัวสะสมอิมิตเตอร์พังทลาย (สูงสุด)
400 V
กระแส - ตัวสะสม (Ic) (สูงสุด)
15 A
กระแส - ตัวสะสมพัลส์ (Icm)
170 A
Vce(on) (สูงสุด) @ Vge, Ic
8V @ 20V, 170A
Td (เปิด/ปิด) @ 25°C
150ns/450ns
เวลาฟื้นตัวแบบย้อนกลับ (trr)
-
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
TO-220-3 Full Pack
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-220 Full Pack
Singapore
