NTE464
Active - MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
คำอธิบาย:
MOSFET-P CHANNEL AMP/SW
NTE464 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
25 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
10A
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
600Ohm @ 0A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 10A
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5000 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
800mW (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-72
United States
