NTE5832
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
NTE5832 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
3A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.2 V @ 3 A
ความเร็ว
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
-
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
10 μA @ 100 V
ประเภทการติดตั้ง
Stud Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-203AA, DO-4, Stud
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-4
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-65 ℃ ~ 175 ℃
Thailand
