1N4149
Active - DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 100V 500MA DO35
1N4149 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
100 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
500mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1 V @ 10 mA
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
4 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
25 nA @ 20 V
ความจุ @ Vr, F
2pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
DO-204AH, DO-35, Axial
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
DO-35
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
175 ℃ (Max)
United States
