2SK4209
Obsolete - MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
2SK4209 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
800 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
12A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 1mA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
75 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1500 pF @ 30 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-3PB
แพ็คเกจ/เคส
TO-3P-3, SC-65-3
Singapore
