2SK536-TB-E
Obsolete - MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 50V 100MA SC59
2SK536-TB-E สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
50 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
100mA (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
-
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
15 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
200mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
125 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
3-CP
แพ็คเกจ/เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
United States
