DLA11C-TR-E
Obsolete - DIODE GEN PURP 200V 1.1A SMD
คำอธิบาย:
DIODE GEN PURP 200V 1.1A SMD
DLA11C-TR-E สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
200 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
1.1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
980 mV @ 1.1 A
ความเร็ว
Fast Recovery = 200mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
50 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
10 μA @ 200 V
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
2-SMD, J-Lead
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
SMD
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
150 ℃ (Max)
Singapore
