FCD7N60TM
Active - MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
FCD7N60TM สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
600 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
7A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
600mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
30 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
920 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
83W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-252AA
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
