FCP4N60
Active - MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 600V 3.9A TO220-3
FCP4N60 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
600 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3.9A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
16.6 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
540 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220-3
Thailand
