FDB3502
Active - MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 75V 6A/14A TO263AB
FDB3502 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
75 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6A (Ta), 14A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
47mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
815 pF @ 40 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.1W (Ta), 41W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D2PAK (TO-263)
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Thailand
