FDC5614P
Active - MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
FDC5614P สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
105mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
24 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
759 pF @ 30 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SuperSOT?-6
แพ็คเกจ/เคส
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
United States
