FDC604P
Active - MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
FDC604P สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
5.5A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1926 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.6W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SuperSOT?-6
แพ็คเกจ/เคส
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
United States
