FDD3510H
Obsolete - MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
คำอธิบาย:
MOSFET N/P-CH 80V 4.3/2.8A TO252
FDD3510H สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
N and P-Channel, Common Drain
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
80V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
4.3A, 2.8A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
80mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
18nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
800pF @ 40V
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
TO-252 (DPAK)
Thailand
