FDD8770
Last Time Buy - MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
FDD8770 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
สถานะผลิตภัณฑ์
Last Time Buy
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
25 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
35A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
73 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3720 pF @ 13 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
115W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-252AA
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
United States
