FDMA291P
Active - MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 6.6A 6MICROFET
FDMA291P สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6.6A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
42mOhm @ 6.6A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1000 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.4W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
6-MicroFET (2x2)
แพ็คเกจ/เคส
6-WDFN Exposed Pad
Thailand
