FDMD8680
Active - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
คำอธิบาย:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
FDMD8680 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
80V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
66A (Tc)
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
73nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
5330pF @ 40V
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
8-PowerWDFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-Power 5x6
.jpg)
United States
