FDN306P
Active - MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
FDN306P สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
12 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
2.6A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
40mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
17 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1138 pF @ 6 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
500mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-23-3
แพ็คเกจ/เคส
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Singapore
