FDP52N20
Active - MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 52A TO220-3
FDP52N20 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
52A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
49mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
63 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2900 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
357W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220-3
FDP52N20 สินค้า คง คลัง: 16020
5.0 / 5.0
2022-08-09 22:22
สินค้ายอดเยี่ยม แนะนําเลย!
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
United States
