FDR6580
Obsolete - MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 20V 11.2A SUPERSOT8
FDR6580 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11.2A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9mOhm @ 11.2A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
48 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
3829 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
1.8W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SuperSOT?-8
แพ็คเกจ/เคส
8-LSOP (0.130", 3.30mm Width)
United States
