FDS2670
Active - MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
FDS2670 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
43 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1228 pF @ 100 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Singapore
