FDS3890
Active - MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8-SO
FDS3890 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
80V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
4.7A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
44mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1180pF @ 40V
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SOIC
United States
