FDS3912
Obsolete - MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
FDS3912 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
100V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
3A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
125mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
20nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
632pF @ 50V
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SOIC
United States
