FDS4935BZ
Active - MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8SOIC
FDS4935BZ สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภท FET
2 P-Channel (Dual)
คุณสมบัติ FET
Logic Level Gate
ระบายไปยังแรงดันแหล่งที่มา (Vdss)
30V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
6.9A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
22mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
40nC @ 10V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1360pF @ 15V
อุณหภูมิการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
8-SOIC
United States
