FDS5690
Obsolete - MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC
FDS5690 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
60 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
7A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
28mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
32 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1107 pF @ 30 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
United States
