FDS6575
Active - MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
FDS6575 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
20 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
10A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
1.5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
74 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
4951 pF @ 10 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS6575 สินค้า คง คลัง: 33560
5.0 / 5.0
2023-01-01 23:32
ฉันต้องไปรับของจากไปรษณีย์ มันไม่ถึงที่อยู่ของฉัน
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
2022-08-16 05:31
ผู้ขายซื่อสัตย์ บริการดี เป็นคนที่น่าเชื่อถือ
United States
