FDS6690A
Active - MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
FDS6690A สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
11A (Ta)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
3V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
16 nC @ 5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
1205 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
8-SOIC
แพ็คเกจ/เคส
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
United States
