FDT86256
Active - MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 150V 1.2A/3A SOT223
FDT86256 สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
150 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.2A (Ta), 3A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
845mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
2 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
73 pF @ 75 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.3W (Ta), 10W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
SOT-223-4
แพ็คเกจ/เคส
TO-261-4, TO-261AA
United States
