FFSM0865B
Active - DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
คำอธิบาย:
DIODE SIL CARB 650V 11.6A 4PQFN
FFSM0865B สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
ประเภทไดโอด
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC Reverse (Vr) (สูงสุด)
650 V
กระแส - เฉลี่ยที่แก้ไขแล้ว (Io)
11.6A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ If
1.7 V @ 8 A
ความเร็ว
No Recovery Time >500mA (Io)
เวลาการกู้คืนแบบย้อนกลับ (trr)
0 ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลแบบย้อนกลับ @ Vr
40 μA @ 650 V
ความจุ @ Vr, F
336pF @ 1V, 100kHz
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง
4-PowerTSFN
แพ็คเกจอุปกรณ์ของซัพพลายเออร์
4-PQFN (8x8)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก
-55 ℃ ~ 175 ℃
FFSM0865B สินค้า คง คลัง: 9210
5.0 / 5.0
2023-01-04 02:16
มาถึงกลุ่มถูกต้อง ทุกอย่างเรียบร้อยดี ขอบคุณผู้ขาย
2023-01-03 07:42
สินค้ามาถึงภายในหนึ่งเดือนตามที่อธิบายไว้
2023-01-03 04:56
ไมโครเคมีหุ่นยนต์นึกถึงช่วง DC/DC ต่ํากว่า ทุกอย่างก็เริ่มต้นขึ้นผมแนะนํา
2023-01-04 07:36
คุณภาพดีทํางานได้อย่างสมบูรณ์แบบ
2023-01-03 03:50
คุณภาพดี จัดส่งรวดเร็ว ขอบคุณค่ะ
United States
