FQB630TM
Obsolete - MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
FQB630TM สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
200 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
9A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
4V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
25 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
550 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
3.13W (Ta), 78W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
D2PAK (TO-263)
แพ็คเกจ/เคส
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
United States
