FQD2N100TM
Obsolete - MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
คำอธิบาย:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
FQD2N100TM สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
บรรจุ ภัณฑ์
Tape & Reel (TR)
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
1000 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
1.6A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
5V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
15.5 nC @ 10 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
520 pF @ 25 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Surface Mount
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-252AA
แพ็คเกจ/เคส
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
FQD2N100TM สินค้า คง คลัง: 38140
5.0 / 5.0
2022-12-17 08:43
จัดส่งเร็วมาก สินค้าตรงกับที่ฉันสั่งเป๊ะ ๆดีใจมากขอบคุณมาก!!
2023-01-03 02:01
จัดส่งรวดเร็ว แนะนําการนําเสนอที่ดี
2023-01-02 16:36
ปรากฏตามที่อธิบายไว้นับถูกต้องฉันยังไม่ได้ทดสอบ
2022-08-16 05:31
ผู้ขายซื่อสัตย์ บริการดี เป็นคนที่น่าเชื่อถือ
2022-12-31 09:38
ส่งศวิดโก้แล้ววคิดกฤตติยา 4,1V วคิดนา 7,5 NF ฉันนั่งลง ทําดี
United States
