IRL8113PBF
Active - HEXFET POWER MOSFET
คำอธิบาย:
HEXFET POWER MOSFET
IRL8113PBF สเปค
แอตทริบิวต์ผลิตภัณฑ์
ค่าแอตทริบิวต์
เทคโนโลยี
MOSFET (Metal Oxide)
แรงดันเดรนสู่แหล่งกำเนิด (Vdss)
30 V
กระแส - เดรนต่อเนื่อง (Id) @ 25℃
105A (Tc)
แรงดันไดรฟ์ (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs
6mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (สูงสุด) @ Id
2.25V @ 250μA
ค่าเกต (Qg) (สูงสุด) @ Vgs
35 nC @ 4.5 V
ความจุอินพุต (Ciss) (สูงสุด) @ Vds
2840 pF @ 15 V
การกระจายพลังงาน (สูงสุด)
110W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
ประเภทการติดตั้ง
Through Hole
อุปกรณ์ของซัพพลายเออร์ แพ็คเกจ
TO-220AB
Singapore
